韩国首尔半导体及其子公司首尔Viosys，于2016年9月9日，在美国加州向美国零售巨头 Kmart 发起专利侵权诉讼。Kmart 是美国最大的打折零售商和全球最大的批发商之一，拥有1000多家门店，年销售额达250亿美元。

　　该诉讼针对在 Kmart 销售的一款 LED 灯丝灯，首尔半导体表示 Kmart 销售的该灯丝灯侵犯了首尔半导体 8 项 LED 相关专利。

　　从该 LED 灯丝灯的包装可以看出，该产品来自美国 Spotlite America Corporation(生产自中国)。但是，首尔半导体没有直接起诉Spotlite，而是起诉终端零售商 Kmart。

　　

 

　　下面来逐一解析该诉讼涉及的8项专利。

　　No.1 US6942731

　　该专利由柏林工业大学于 2001 年申请，并于 2005 年获得美国发明专利授权，2012 年专利权转让给首尔半导体。

　　该专利针对 GaN LED 外延过程中，3D生长+2D生长的工艺。

　　

 

　　No.2 US7626209

　　该专利由Seoul Opto Device于 2008 年申请，并于 2009 年获得美国发明专利授权，2011 年专利权转让给首尔半导体，2014年专利权进一步转让给首尔Viosys。

　　该专利的权利要求为，量子阱结构中，undoped-InGaN 和 Si-doped GaN组成复合势垒层。

　　No3. US7906789

　　该专利由首尔半导体于2008年申请，并于2011年获得美国发明专利授权。

　　该专利的权利要求为，(蓝光LED+黄绿粉)和(蓝光LED+红粉)两组光混合实现高显色指数的白光。

　　

 

　　No4. US7951626

　　该专利由Seoul Opto Device于 2009 年申请，并于 2011 年获得美国发明专利授权，2014年专利权转让给首尔Viosys。

　　该专利的权利要求为，将GaN外延片刻蚀出倾斜侧壁的工艺方法。倾斜侧壁是生产高压芯片需要用到的。

　　

 

　　No5. US7982207

　　该专利由Seoul Opto Device于 2010年申请，并于 2011 年获得美国发明专利授权，2014年专利权转让给首尔Viosys。

　　该专利的权利要求为，P-pad 下面有电流阻挡层，该阻挡层同时有反射光线的作用，减少pad吸光。

　　

 

　　No6. US8664638

　　该专利由Seoul Opto Device于 2011年申请，并于 2014年获得美国发明专利授权，2014年专利权转让给首尔Viosys。

　　该专利的权利要求为，在Buffer层和N-GaN层之间，采用不同的温度生长三层中间层。

　　No7. US8860331

　　该专利由首尔Viosys于 2013年申请，并于 2014年获得美国发明专利授权。

　　该专利的权利要求为，AC LED 同时激发两种荧光粉，两种荧光粉的荧光衰减时间不同。

　　

 

　　No8. US9240529

　　该专利由诺贝尔奖获得者中村修二教授等人于2014年申请，并于 2016年1月获得美国发明专利授权，目前专利权人为美国加州大学。

　　该专利的权利要求为，LED芯片上下双面出光，固定至封装支架上的透明板，从而LED芯片向下发出的光线可以该透明板出射。

　　准确地切中了，灯丝封装中芯片背面光线，从透明基板出射的要点。

　　在这项专利申请日期之前，中国企业早已投入大量研发资源进行LED灯丝封装研发，并且将产品推向了市场。但是，中国企业的专利布局缺失，现在已经陷入被动局面。

　　中村修二教授、台湾晶元光电(详见本公众号，LED行业专利地雷(六)晶电诉Adamax灯丝专利侵权)在灯丝产品上市销售多年之后，还是申请到了占据核心技术点的专利。

　　

 

　　可见，专利分析与布局，什么时间开始都不晚，只要去做，总能得到对商业竞争有帮助的专利。